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用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。
特点 :
◇ 寿命范围:20 ns至100 ms(样品电阻率 > 0.3 Ohm cm)
◇ SEMI标准:PV9-1110
◇ 测试速度:线扫描 < 30 s;完整的面扫秒 < 5 min
◇ 同时测量:寿命μPCD/MDP(QSS)和电阻率
◇ 自动几何形状识别: G12、M10晶砖和晶圆片
应用 :
◇ 寿命 & 电阻率面扫描
◇ 晶体生长监控(即滑移线)
◇ 污染监测
◇ 氧条纹/OSF环
◇ P 型掺杂硅的铁面扫描图
◇ 发射极层的方阻
◇ 更多…
技术规格 :
材料 | 单晶硅 |
晶锭尺寸 | 125 x 125至210 x 210 mm2,晶砖长850 mm或更长 |
晶圆尺寸 | 直径可达300 mm |
电阻率范围 | 0.5 – 5 ohm cm。根据要求提供其他范围 |
导电类别 | p/n |
可测量的参数 | 寿命-μPCD/MDP(QSS)、光电导率、电阻率等 |
默认激光器 | IR激光二极管(980 nm,不超过500 mW)和IR激光二极管(905 nm,不超过9000 mW)。可根据要求提供其他波长 |
电脑 | Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2个以太网端口 |
电力要求 | 100 – 250 V AC, 6 A |
尺寸(宽*高*长) | 2560 × 1910 × 1440 mm |
重量 | 约200 kg |
认证 | 根据ISO 9001准则制造,符合CE要求 |
直拉硅单晶硅锭中的滑移线
含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量
MDP studio - 操作和评估软件 :
用户友好且*的操作软件具有:
◇ 导入和导出功能
◇ 带有操作员的用户结构
◇ 所有执行的测量概览
◇ 样品参数输出
◇ 单点测量(例如:注入浓度相关的测量)
◇ 面扫描
◇ 测试配方
◇ 分析功能包
◇ 线扫描和单点瞬态视图
配置选项:
◇ 光斑尺寸变化
◇ 电阻率测量(晶砖和晶圆片)
◇ 背景/偏置光
◇ 反射测量(MDP)
◇ LBIC
◇ P型掺杂硅中的铁图谱
◇ p/n检测
◇ 条码读取器
◇ 自动几何识别
◇ 宽的激光器波长范围
少子寿命测试仪µPCD/MDP (MDPpro 850+) 应用 :
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