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PRODUCTS CENTER当前位置:首页产品中心半导体专用检测仪器设备RESmapRESmap-1电阻率测试仪(RESmap )
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电阻率测试仪(RESmap )特征 :
电阻率的非接触式测量和成像 | 高频涡流传感原理与集成红外温度传感器可校正样品的温度变化 |
信号灵敏度 | 基于线圈频率读数的高信号灵敏度,可实现准确可靠的电阻率测量,并具有高再现性和可重复性 |
测量时间 | 测量时间 < 3 s,测量之间时间 < 1 s |
测量速度 | 200 mm 晶圆/晶锭 < 30 s,9个点 |
多点测量及测绘显示 | 不超过9999个点 |
材料外形尺寸 | 平坦或略微弯曲的晶圆、晶锭、锭板、毛坯和薄膜 |
X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
边缘扣除 | 5 mm |
可靠性 | 模块化、紧凑的台式仪器设计,可靠性高,正常运行时间 > 99% |
电阻率测量的重复性 | ≤ 0.15%,基于使用ANOVA Gage R&R方法对材料系统分析(MSA) |
更多技术规格和配置选项:
为自动化流程做准备 | 可用于不同的平台 |
测量方法符合 | SEMI MF673标准 |
数据及数据有效性检查 | 使用NIST标准 |
校准精度 | ±1% |
集成红外温度传感器 (±0.1°) | 允许报告标准温度下的电阻率,(与样品的实际温度不同) |
样品厚度校准 | 对于高频信号穿透深度大于穿透深度的样品 |
电力要求 | 100-250 VAC, 5 A |
尺寸 | 465 ´ 550 ´ 600 mm |
软件控制 | 配备Window10或新版本的标准PC,2个以太网端口 |
用户友好且*的操作软件:
◇ 电阻率测量配方;
◇ 导出/导入功能和原始数据访问;
◇ 多级用户账户管理;
◇ 所有执行的测量概览;
◇ 绘图选项(线、十字、星、完整地图、地形、用户定义图案);
◇ 分析功能包;统计、方差分析、温度校正函数和数据库;
◇ 远程访问;基于互联网的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持;
电涡流传感器的测量原理
中心处可实现较大的准确性和精确度
4H-SiC晶圆整个生长面区域的电阻率变化测量
硅晶圆电阻率变化测量 — 面扫描、分布和线扫描
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