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包括一个额外的电阻率测量选项。测量硅的电阻率,可用于没有高度调节可能性的晶圆,或晶砖。必须预先定义这两个选项中的一个。
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MDPspot少子寿命测试仪特点:
◇ 无接触无破坏的电学半导体特性
◇ 包括μ-PCD测量选项
◇ 对迄今为止看不见的缺陷的可视化和外延层的研究具有*的灵敏度
◇ 集成多达四个激光器,用于宽的注入水平范围
◇ 获取单次瞬变的原始数据以及用于特殊评估目的的地图
技术规格:
单晶或多晶片、晶砖、电池、硅片、钝化或扩散等不同生产步骤后的晶片 | |
样品尺寸 | 50 x 50 mm² 以上到 12“ 或 210 x 210 mm² |
电阻率 | 0.2 - 10³Ω·cm |
材料 | 晶片、晶砖、部分或加全部工的硅片、化合物半导体等 |
测量参数 | 载流子寿命 |
尺寸 | 360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg |
电力 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
MDPspot少子寿命测试仪优点:
◇ 台式装置,用于载流子寿命的单点测量,多晶硅或单晶硅在不同的制备阶段,从原生材料到器件。
◇ 体积小,成本低,使用方便。附带一个基本的软件,用于在小型PC或笔记本上进行结果可视化。
◇ 适用于硅片到砖,操作高度调节方便。
细节:
◇ 允许单晶圆片调查
◇ 不同的晶圆级有不同的配方
◇ 监控物料、工艺质量和稳定性
附加选项:
◇ 光斑大小变化
◇ 电阻率测量(晶片)
◇ 背景/偏置光
◇ 反射测量(MDP)
◇ 软件扩展
◇ 额外的激光器选配
MDPspot 应用:
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