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TECHNICAL ARTICLES自2010年以来,潜在的诱导退化被认为是导致模块故障的主要原因之一。利用弗劳恩霍夫CSP开发的新技术,以及弗莱贝格仪器公司的台式工具PIDcon,可以对太阳能电池和微型组件的PID敏感性进行测试,现在已经投入市场。
了解更多关于PID的原因以及如何研究太阳能电池、微型模块和封装材料的敏感性。
PID-s的物理性质
电势诱导退化(PID)是在晶体硅组件中观察到的较高危险的退化现象之一。在了解分流型PID(PID-s)的基本机制方面已经取得了很大进展。
PID-s的物理性质
在现场,模块中的前玻璃表面和太阳能电池之间可能会出现较大的电位,硅太阳能电池的p-n结会发生分流,从而导致电阻和功率输出下降。
以下模型是由[1]提出的:
模块中存在的高场强导致Na+漂移通过SiNx层。钠离子在SiNx/Si界面(SiOx)横向扩散,并装饰了堆叠故障。pn结通过高度装饰的堆积断层的缺陷水平被分流(过程1),另外,由于耗尽区的缺陷状态的重组过程,J02增加(过程2)。请注意,Na离子应该是来自Si表面而不是玻璃。
因此,模块的易感性主要取决于SiNx层以及玻璃和EVA箔的电阻率。
参考文献:
[1] V. Naumann et al., The role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (PID) of crystalline Si solar cells, Phys. Stat. Solidi RRL 7, No. 5 (2013) 315-318
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